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半導体ひずみゲージ

半導体ひずみゲージ

マイクロン社の半導体ひずみゲージは、プルドボロン添加バルクシリコンで作られております。
P/N接合はありません。シリコンは然るべき形状にエッチングされており、分子の転位やクラックの心配がなく最適な性能を実現しています。

半導体ひずみゲージの型式番号の見方(SSシリーズ)

標準仕様表

温度・抵抗整合性
※温度に対するベース抵抗の差異
温度 整合性
-178℃ ±3Ω
25.6℃ ±2Ω
136.67℃ ±2Ω
材質 チョクラルスキー法によるプルドボロン添加シリコン
ゲージリード Φ0.05mm、金線、冗長12.7mm
コンタクトパッド 高温用ニッケル融合アルミニウム
リード取付 エポキシ強化パラレルギャップ溶接またはボールボンディング
測定範囲 ±2000με(最大±3000με)
非直線性 ±0.25%RO以内(600μεまで)
±1.5%RO以内(1500μεまで)
最高使用温度 315.56℃

U型 半導体ひずみゲージ

U型図面

型式番号 全長(mm) アクティブ長(mm) 幅(mm) リード取付 厚さ(mm) 抵抗(室温) ゲージ率 ゲージ率の温度係数 抵抗の温度係数
SS-037-022-500PU 0.940 0.559 0.406 溶接 0.010 540 ±50Ω 150 ±10 -13% 17%
SC-047-500U-WB 1.194 0.635 0.406 540 ±50Ω 120 ±12 -15% 24±4%
SC-047-1000PU-WB 1.194 0.635 0.406 1050 ±75Ω 130 ±8 -18% 30±4%
SS-060-033-2000PU 1.524 0.838 0.406 2000 ±100Ω 155 ±10 -18% 24%
SS-080-050-10000PU 2.032 1.270 0.330 10000 ±1000Ω 175 ±10 -23% 42%
SS-095-060-350PU 2.413 1.524 0.406 350 ±50Ω 120 ±10 -9% 5%

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